Pytania.docx

(16 KB) Pobierz

1.      Wyjaśnić dlaczego przebieg zależności E(λ) [chyba λ] dla elektronu w krysztale jest w przybliżeniu paraboliczny

2.      Kiedy płynie prąd dyfuzji w półprzewodniku i od czego zależy jego wielkość?

3.      Obliczyć jaką grubość musi mieć krzemowy element aby prędkość dryfu była taka sama jak termiczna jeśli różnica potencjałów wynosi 1 V a ruchliwość 0,1m2/Vs [nie wiem czy dobra jednostka]

4.      Od czego zależy szerokość warstwy zubożonej w złączu pn, jakie ładunki tworzą tę warstwę po stronie n i p

5.      Zasada zachowania pędu i energii w przejściach skośnych, wymienić cząstki [czynniki?], które dostarczają energii i pędu

6.      Rekombinacja promienista i bezpromienista, jaką rolę odgrywają w LED?

7.      Charakterystyka prądowo napięciowa oświetlonego ogniwa słonecznego i zaznaczyć gdzie dominuje prąd dyfuzyjny a gdzie dryfu. Który z nich to prąd nośników większościowych a który mniejszościowych?

 

1.      Pasmo przewodnictwa i pasmo walencyjne – schemat, które zapełnione, które puste, od czego zależy odległość energetyczna między nimi?

2.      Od jakich właściwości materiału zależy przewodnictwo w półprzewodniku samoistnym i domieszkowanym

3.      Masa efektywna elektronu, sens fizyczny

4.      Narysować charakterystykę prądowo napięciową w złączu pn. W jakim obszarze napięć dominuje prąd dufuzji a w jakim prąd dryfu. Ile razy wzrośnie prąd dyfuzji w temperaturze pokojowej jeśli napięcie zwiększymy w kierunku przewodzenia o 0,25 V?

5.      Wyjaśnić posługując się schematem pasmowym na którym zaznaczono kierunki ruchu nośników i przejście związane z emisją fotonów, dlaczego dioda LED świeci po spolaryzowaniu w kierunku przewodnictwa

6.      Przykład [zastosowania??] studni kwantowej ze schematem pasmowym

7.      Narysować schemat pasmowy tranzystora MOS i wyjaśnić jego działanie (zaznaczyć kierunek przepływu prądu w stanie ON na tym schemacie)

 

1.      Wektor k elektronu w sieci periodycznej, własności, sens fizyczny

2.      Rekombinacja na schemacie pasmowym, kiedy korystny/niekorzystny plus uzasadnienie

3.      Uzasadnić dlaczego dla zakresu temperatur 130-700 K nie zależy od niej koncentracja nośników

4.      Na schemacie pasmowym złącza pn w warunkach równowagi termodynamicznej zaznaczyć obszar [nieczytelne] pole elektryczne. Jakie ładunki wytwarzają to pole? Zaznaczyć kierunki przepływu pod wpływem pola.

5.      Podać warunki do spełnienia przez LED żeby stał się laserem oraz sposoby realizacji.

6.      Tranzystor [polowy?] npn, schemat pasmowy, polaryzacja złącz emiter-baza i baza-kolektor, od czego zależy prąd na złączu baza-kolektor. Od czego zależy wartość prąd na złączu baza kolektor?

7.      Heterozłączowe ogniwo słoneczne, schemat pasmowy z objaśnieniami roli poszczególnych elementów.

 

1.      [Nieczytelne] Pasm energetycznych w półprzewodnikach, rys. z komentarzem.

2.      Związek wektora falowego elektron z pędem. Jaki wpłw ma z=siła zewnętrzna na wektor falowy

3.      Wyjaśnić wpływ domieszek akceptorowych na koncentrację swobodnych elektronów i dziur

4.      Od czego zależy ruchliwość swobodnych nośników.

5.      Na schemacie pasmowym półprzewodnika zaznaczyć proces generacji i rekombinacji pary elektron dziura. Wymienić procesu które prowadzą do powstawania i znikania  pary swobodnych nośników.

6.      Charakterystyka oświetlonej i nieoświetlonej fotodiody. Dlaczego prąd oświetlonej diodzie dla napięcia 0V jest ujemny? (Objaśnienie ze schematem pasmowym złącza)

7.      Narysować schemat pasmowy diody tunelowej dla napięć ujemnych bliskich 0V i wyjaśnić dlaczego płynie [2 ostatnie słowa zasłonięte przez kartkę niżej].

 

Zgłoś jeśli naruszono regulamin